Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF1010EL
IRF1010EL спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRF1010EL
IRF1010EL спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
Производитель : IR
Упаковка : TO-262
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 135 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.