Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PH50S
IRG4PH50S спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PH50S
IRG4PH50S спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 142 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 1.47V @ VGE = 15V, IC = 33A