Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC10SD-L
IRG4BC10SD-L спецификации: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC10SD-L
IRG4BC10SD-L спецификации: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A
Производитель : IR
Упаковка : TO-262
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 238 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A