Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC10KD
IRG4BC10KD спецификации: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC10KD
IRG4BC10KD спецификации: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 230 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A