Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PH50K
IRG4PH50K спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 2.77V @ VGE = 15V, IC = 24A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PH50K
IRG4PH50K спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 2.77V @ VGE = 15V, IC = 24A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 101 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 2.77V @ VGE = 15V, IC = 24A