Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PH20K
IRG4PH20K спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.17V @ VGE = 15V, IC = 5.0A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PH20K
IRG4PH20K спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.17V @ VGE = 15V, IC = 5.0A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 251 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.17V @ VGE = 15V, IC = 5.0A