Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PC30KD
IRG4PC30KD спецификации: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.21V @ VGE = 15V, IC = 16A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4PC30KD
IRG4PC30KD спецификации: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.21V @ VGE = 15V, IC = 16A
Производитель : IR
Упаковка : TO-247AC
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 195 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.21V @ VGE = 15V, IC = 16A