Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC30U
IRG4BC30U спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.95V @ VGE = 15V, IC = 12A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC30U
IRG4BC30U спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.95V @ VGE = 15V, IC = 12A
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 183 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.95V @ VGE = 15V, IC = 12A