Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC20K
IRG4BC20K спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.27V @ VGE = 15V, IC = 9.0A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC20K
IRG4BC20K спецификации: Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.27V @ VGE = 15V, IC = 9.0A
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 151 KB
Заявка : Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.27V @ VGE = 15V, IC = 9.0A