Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF822FI
IRF822FI спецификации: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF822FI
IRF822FI спецификации: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
Производитель : ST Microelectronics
Упаковка : ISOWATT220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 185 KB
Заявка : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A