Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF820
IRF820 спецификации: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF820
IRF820 спецификации: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
Производитель : ST Microelectronics
Упаковка : TO-220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 185 KB
Заявка : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A