Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF820FI
IRF820FI спецификации: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > IRF820FI
IRF820FI спецификации: N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
Производитель : ST Microelectronics
Упаковка : ISOWATT220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 185 KB
Заявка : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A