Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHW8ND50E
PHW8ND50E спецификации: 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
Аналогичные PHW8ND50E
- PHW80NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW8ND50E
- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW8ND50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 80 KB
Заявка : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW8ND50E Скачать PDF