Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHW80NQ10T
PHW80NQ10T спецификации: 100 V, N-channel trenchMOS transistor
Аналогичные PHW80NQ10T
- PHW80NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW8ND50E
- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW80NQ10T Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 105 KB
Заявка : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
PHW80NQ10T Скачать PDF