Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHW8N50E
PHW8N50E спецификации: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
Аналогичные PHW8N50E
- PHW80NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW8ND50E
- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW8N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : TO247
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 98 KB
Заявка : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHW8N50E Скачать PDF