Аналогичные MTD3302

  • MTD3055EL
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055EL1
    • N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055V
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3055VL
    • TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
  • MTD3302
    • HDTMOS single N-channel field effect transistor

MTD3302 Datasheet и спецификация

Производитель : Motorola 

Упаковка : DPAK 

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C

Размер : 95 KB

Заявка : HDTMOS single N-channel field effect transistor 

MTD3302 Скачать PDF