Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTD3055VL
MTD3055VL спецификации: TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
Аналогичные MTD3055VL
- MTD3055EL
- N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
- MTD3055EL1
- N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
- MTD3055V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3055V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3055VL
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3302
- HDTMOS single N-channel field effect transistor
MTD3055VL Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 229 KB
Заявка : TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
MTD3055VL Скачать PDF