Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTD3055EL1
MTD3055EL1 спецификации: N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
Аналогичные MTD3055EL1
- MTD3055EL
- N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
- MTD3055EL1
- N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
- MTD3055V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3055V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3055VL
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3302
- HDTMOS single N-channel field effect transistor
MTD3055EL1 Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : 368-06
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 417 KB
Заявка : N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
MTD3055EL1 Скачать PDF