Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFBG20
IRFBG20 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000V, RDS(on) = 11Ohm, ID = 1.4A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFBG20
IRFBG20 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000V, RDS(on) = 11Ohm, ID = 1.4A
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 185 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000V, RDS(on) = 11Ohm, ID = 1.4A