Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFB18N50K
IRFB18N50K спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFB18N50K
IRFB18N50K спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 91 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A