Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFBF20L
IRFBF20L спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 8.0 Ohm, ID = 1.7A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFBF20L
IRFBF20L спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 8.0 Ohm, ID = 1.7A
Производитель : IR
Упаковка : TO-262
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 342 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 8.0 Ohm, ID = 1.7A