Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFBC30
IRFBC30 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 3.6A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > IR Datasheet > IRFBC30
IRFBC30 спецификации: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 3.6A
Производитель : IR
Упаковка :
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 190 KB
Заявка : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 3.6A