Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > WingShing Datasheet > S8550LT1
S8550LT1 спецификации: High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > WingShing Datasheet > S8550LT1
S8550LT1 спецификации: High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V
Производитель : WingShing
Упаковка : SOT-23
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 93 KB
Заявка : High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V