Аналогичные S8550

  • S8550
    • Transistor(PNP). Power dissipation 0.625W, Collector current -0.5A. Collector-base voltage -40V
  • S8550LT1
    • High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V

S8550 Datasheet и спецификация

Производитель : WingShing 

Упаковка :  

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C

Размер : 94 KB

Заявка : Transistor(PNP). Power dissipation 0.625W, Collector current -0.5A. Collector-base voltage -40V 

S8550 Скачать PDF