Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > MJD127-1
MJD127-1 спецификации: PNP darlington transistor for high DC current gain, 100V, 5A
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ST Microelectronics Datasheet > MJD127-1
MJD127-1 спецификации: PNP darlington transistor for high DC current gain, 100V, 5A
Производитель : ST Microelectronics
Упаковка : TO-251
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 100 KB
Заявка : PNP darlington transistor for high DC current gain, 100V, 5A