Аналогичные S8202

  • S8201
    • 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • S8202
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

S8202 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 8 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

S8202 Скачать PDF