Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > S8201
S8201 спецификации: 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Polyfet RF Datasheet > S8201
S8201 спецификации: 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
Производитель : Polyfet RF
Упаковка :
Pins : 8
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C
Размер : 40 KB
Заявка : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor