F2013 спецификации: 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F2013

F2012
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013
- 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2013 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 4

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor