F2012 спецификации: 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

Аналогичные F2012

F2012
- 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013
- 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2012 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF

Упаковка :

Pins : 2

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 40 KB

Заявка : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor