Аналогичные F1022

  • F1020
    • Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1021
    • 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1022
    • 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1027
    • 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1022 Datasheet и спецификация

Производитель : Polyfet RF 

Упаковка :  

Pins : 4 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 150 °C

Размер : 41 KB

Заявка : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1022 Скачать PDF