Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHX3N50E
PHX3N50E спецификации: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
Аналогичные PHX3N50E
- PHX3055E
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHX3055L
- 60 V, power MOS transistor logic level FET
- PHX3N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX3N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX3N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX3N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX3N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX3N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX3N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT186A
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 79 KB
Заявка : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHX3N50E Скачать PDF