Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHX3N40E
PHX3N40E спецификации: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Аналогичные PHX3N40E
- PHX3055E
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHX3055L
- 60 V, power MOS transistor logic level FET
- PHX3N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX3N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX3N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX3N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX3N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX3N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX3N40E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 70 KB
Заявка : 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX3N40E Скачать PDF