Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHX2N60E
PHX2N60E спецификации: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Аналогичные PHX2N60E
- PHX23NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHX2N40E
- 400 V, power MOS transistor isolated version of PHP4N40E
- PHX2N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX2N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX2N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX2N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX2N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX2N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHX2N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 71 KB
Заявка : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX2N60E Скачать PDF