Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHX2N50E
PHX2N50E спецификации: PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
Аналогичные PHX2N50E
- PHX23NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHX2N40E
- 400 V, power MOS transistor isolated version of PHP4N40E
- PHX2N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX2N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHX2N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX2N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX2N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHX2N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHX2N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT186A
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 85 KB
Заявка : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHX2N50E Скачать PDF