Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHW11N50E
PHW11N50E спецификации: PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
Аналогичные PHW11N50E
- PHW10N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW10N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW10N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW11N50E
- PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
- PHW11N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW11N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW13N40E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW14N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHW11N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT429
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 45 KB
Заявка : PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
PHW11N50E Скачать PDF