Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHW10N40E
PHW10N40E спецификации: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Аналогичные PHW10N40E
- PHW10N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW10N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW10N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW11N50E
- PowerMOS transistor. Avalancne energy rated.
- PHW11N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW11N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW13N40E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW14N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHW10N40E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 98 KB
Заявка : 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHW10N40E Скачать PDF