Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHD11N06LT
PHD11N06LT спецификации: TrenchMOS transistor. Logic level FET.
Аналогичные PHD11N06LT
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N06LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD12N10E
- PowerMOS transistor
PHD11N06LT Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT428
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 83 KB
Заявка : TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHD11N06LT Скачать PDF