Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHD10N10E
PHD10N10E спецификации: PowerMOS transistor
Аналогичные PHD10N10E
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N06LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD12N10E
- PowerMOS transistor
PHD10N10E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT428
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 83 KB
Заявка : PowerMOS transistor
PHD10N10E Скачать PDF