Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHB3N50E
PHB3N50E спецификации: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Аналогичные PHB3N50E
- PHB34NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHB34NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB37N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHB37N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB3N50E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 85 KB
Заявка : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB3N50E Скачать PDF