Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Philips Datasheet > PHB36N06E
PHB36N06E спецификации: 60 V, power MOS transistor
Аналогичные PHB36N06E
- PHB34NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHB34NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB36N06E
- 60 V, power MOS transistor
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHB37N06LT
- TrenchMOS transistor Logic level FET
- PHB37N06LT
- 55 V, trenchMOS transistor logic level FET
- PHB37N06T
- TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB36N06E Datasheet и спецификация
Производитель : Philips
Упаковка : SOT
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 60 KB
Заявка : 60 V, power MOS transistor
PHB36N06E Скачать PDF