Аналогичные MGY25N120

  • MGY20N120D
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel
  • MGY25N120
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGY25N120
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGY25N120D
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel

MGY25N120 Datasheet и спецификация

Производитель : ON Semiconductor 

Упаковка : TO-3PBL 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C

Размер : 168 KB

Заявка : Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel 

MGY25N120 Скачать PDF