Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ON Semiconductor Datasheet > MGP4N60ED
MGP4N60ED спецификации: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > ON Semiconductor Datasheet > MGP4N60ED
MGP4N60ED спецификации: Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel
Производитель : ON Semiconductor
Упаковка : TO-220
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 160 KB
Заявка : Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel