Аналогичные MGP4N60E

  • MGP4N60E
    • Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel
  • MGP4N60ED
    • Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel

MGP4N60E Datasheet и спецификация

Производитель : ON Semiconductor 

Упаковка : TO-220 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C

Размер : 131 KB

Заявка : Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel 

MGP4N60E Скачать PDF