Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NEC Datasheet > NE429M01-T2
NE429M01-T2 спецификации: N-channel HJ-FET
Аналогичные NE429M01-T2
- NE4210M01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE4210M01-T2
- N-channel HJ-FET
- NE4210M01-T2
- N-channel HJ-FET
- NE4210S01-T1
- GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
- NE4210S01-T1B
- GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
- NE425S01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE429M01
- N-channel HJ-FET
- NE429M01-T1
- N-channel HJ-FET
NE429M01-T2 Datasheet и спецификация
Производитель : NEC
Упаковка : 6-P super minimold E
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 54 KB
Заявка : N-channel HJ-FET
NE429M01-T2 Скачать PDF