Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > NEC Datasheet > NE4210S01-T1B
NE4210S01-T1B спецификации: GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
Аналогичные NE4210S01-T1B
- NE4210M01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE4210M01-T2
- N-channel HJ-FET
- NE4210M01-T2
- N-channel HJ-FET
- NE4210S01-T1
- GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
- NE4210S01-T1B
- GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
- NE425S01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE429M01
- N-channel HJ-FET
- NE429M01-T1
- N-channel HJ-FET
NE4210S01-T1B Datasheet и спецификация
Производитель : NEC
Упаковка : 4-pin u-x type mold
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 71 KB
Заявка : GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
NE4210S01-T1B Скачать PDF