Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTB3N60E
MTB3N60E спецификации: TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
Аналогичные MTB3N60E
- MTB30N06VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB33N10E
- TMOS E-FET high energy power FET
- MTB36N06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB3N120E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB3N120E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB3N60E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB3N60E Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 150 °C
Размер : 81 KB
Заявка : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB3N60E Скачать PDF