Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Motorola Datasheet > MTB30N06VL
MTB30N06VL спецификации: TMOS V power field effect transistor
Аналогичные MTB30N06VL
- MTB30N06VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB33N10E
- TMOS E-FET high energy power FET
- MTB36N06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB3N120E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB3N120E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB3N60E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB30N06VL Datasheet и спецификация
Производитель : Motorola
Упаковка : DPAK
Pins : 4
Темп. диапазон : Минимум -55 °C | Макс 175 °C
Размер : 288 KB
Заявка : TMOS V power field effect transistor
MTB30N06VL Скачать PDF