Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > BC262
BC262 спецификации: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Micro Electronics Datasheet > BC262
BC262 спецификации: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
Производитель : Micro Electronics
Упаковка : TO-18
Pins : 3
Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 200 °C
Размер : 103 KB
Заявка : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor