okDatasheet.com

Аналогичные BC261

  • BC261
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
  • BC262
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
  • BC263
    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor

BC261 Datasheet и спецификация

Производитель : Micro Electronics 

Упаковка : TO-18 

Pins : 3 

Темп. диапазон : Минимум -65 °C | Макс 200 °C

Размер : 103 KB

Заявка : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor 

BC261 Скачать PDF