Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Intersil Datasheet > FSYC360D
FSYC360D спецификации: Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
Путь:OKDatasheet > Полупроводниковые Datasheet > Intersil Datasheet > FSYC360D
FSYC360D спецификации: Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
Производитель : Intersil
Упаковка :
Pins : 0
Темп. диапазон : Минимум 0 °C | Макс 0 °C
Размер : 84 KB
Заявка : Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs